| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IXYSTO-3P |
18000 |
23+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IXYSTO-3P |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IXYSTO-3P |
3000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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19 |
9024 |
公司优势库存 热卖中! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
6 |
9606+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IXYSTO-3P |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1298 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
1298 |
23+ |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-3P |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247AD |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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IXYSTO-247 |
106 |
9606+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247AD |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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IXYSTO-247AD(IXGH) |
56800 |
19+ |
只卖原装正品!价格超越代理!可开增值税发票! |
IXGH20N60采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH20N60图片
IXGH20N60BD1价格
IXGH20N60BD1价格：￥0.0000品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH20N60BD1多少钱，想知道IXGH20N60BD1价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH20N60BD1批发价格及采购报价，IXGH20N60BD1销售排行榜及行情走势，IXGH20N60BD1报价。
IXGH20N60中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH20N60功能描述:IGBT 晶体管 LOW V IGBT 600V 40A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH20N60A功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH20N60AU1功能描述:MOSFET 40 Amps 600V 3.0 V Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXGH20N60B功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH20N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 40 Amps 600V 2 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH20N60BS功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-247SMD
IXGH20N60BU1功能描述:IGBT 晶体管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH20N60
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
- 开关能量：
1.5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/600ns
- 测试条件：
480V，20A，82 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 600V 40A 150W TO247AD
