| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/LittelfuseTO-247 |
480 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-3P |
2600 |
10+ |
原装价格优势，欢迎咨询！ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
4500 |
新批次 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSTO-247 |
928 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IXYS/IXYS Integrated CircuitsTO-247 |
269 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IXYSTO-247 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-247 |
150000 |
1215+ |
全新原装,绝对正品,公司大量现货供应. |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IXSSMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
110 |
23+ |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
110 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSTO247 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXGH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
447 |
1931+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
447 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
IXGH16N170采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXGH16N170图片
IXGH16N170价格
IXGH16N170价格：￥33.7193品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGH16N170多少钱，想知道IXGH16N170价格是多少？参考价：￥33.7193。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXGH16N170批发价格及采购报价，IXGH16N170销售排行榜及行情走势，IXGH16N170报价。
IXGH16N170中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGH16N170功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 3.5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH16N170_06制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXGH16N170A功能描述:IGBT 晶体管 32 Amps 1700 V 5 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGH16N170A_05制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage IGBT
IXGH16N170AH1功能描述:IGBT 晶体管 11 Amps 1700V 5 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXGH16N170
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，16A
- 开关能量：
9.3mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/400ns
- 测试条件：
1360V，16A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1700V 32A 190W TO247AD
