选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
|
IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
|||
|
深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
|
IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
IXYSNA |
9000 |
24+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
|
深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
|
IXYS/艾赛斯SOP |
4326 |
新批次 |
||||
|
东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
|
IXYS/艾赛斯SOP-8 |
6880 |
21+ |
只做原装 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IXYS艾赛斯SOP-8 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
|
IXYS/艾赛斯SOP-8 |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
SOP |
68900 |
IXY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
|
IXYS8SOIC |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
|||
|
深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
|
IXYSSOP8 |
12588 |
21+ |
原装正品,量大可定 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IXYSSOP8 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
IXYSNA |
18000 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
|||
|
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
|
IXYSNA |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
||||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IXYS/艾赛斯NA/ |
3308 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
1000 |
||||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IXYS艾赛斯SOP-8 |
13500 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
||||
|
上海磐岳电子有限公司6年
留言
|
IXYSSOP |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
36200 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
|
IXYSSOP8 |
9999999 |
21+ |
原装正品现货/订货价格优惠可开票 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
IXYSSOP8 |
12300 |
20+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
IXDN409SI采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXDN409SI图片
IXDN409SI中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDN409SI功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN409SIA功能描述:功率驱动器IC 9.0 Amps 40 V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXDN409SI
- 制造商:
IXYS
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 35V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,3.5V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
9A,9A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
10ns,10ns
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC