选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-247 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-247 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXDH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSTO-247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247AD |
6000 |
23+ |
台湾发货.原装 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
326 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
IXDH35N60B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXDH35N60B图片
IXDH35N60BD1价格
IXDH35N60BD1价格:¥27.8690品牌:Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXDH35N60BD1多少钱,想知道IXDH35N60BD1价格是多少?参考价:¥27.8690。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXDH35N60BD1批发价格及采购报价,IXDH35N60BD1销售排行榜及行情走势,IXDH35N60BD1报价。
IXDH35N60B中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDH35N60B功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDH35N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXDH35N60B
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,35A
- 开关能量:
1.6mJ(开),800µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 测试条件:
300V,35A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 600V 60A 250W TO247AD