| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IXYSTO-247 |
17016 |
2202+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯NA/ |
3370 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-247 |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-247 |
30669 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IXYSTO-247 |
4500 |
918 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
IXDH20N120采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXDH20N120图片
IXDH20N120价格
IXDH20N120价格：￥26.1226品牌：Ixys
生产厂家品牌为Ixys的IXDH20N120多少钱，想知道IXDH20N120价格是多少？参考价：￥26.1226。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXDH20N120批发价格及采购报价，IXDH20N120销售排行榜及行情走势，IXDH20N120报价。
IXDH20N120中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDH20N120功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDH20N120AU1功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD
IXDH20N120D1功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXDH20N120
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3V @ 15V，20A
- 开关能量：
3.1mJ（开），2.4mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 测试条件：
600V，20A，82 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 38A 200W TO247AD
