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深圳市高捷芯城科技有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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IXDF602PI

Littelfuse/IXYSDIP-8

942

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深耕行业12年,可提供技术支持。

深圳市凌旭科技有限公司

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IXDF602PI

IXYSDIP8

793

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市冠亿通科技有限公司

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IXDF602PI

IXYS I

25000

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原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票!

深圳市艾宇欣科技有限公司

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IXDF602PI

IXYSN/A

18

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深圳市易讯博科技有限公司

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IXDF602PI

IXYSNA

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深圳市环球伟业电子有限公司

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IXDF602PI

IXYS/IXYS Integrated CircuitsNA

12

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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市得捷芯城科技有限公司

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IXDF602PI

IXYS/艾赛斯NA/

870

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市大联智电子有限公司

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IXDF602PI

IXYS Integrated Circuits Divis8-DIP(0.300,7.62mm)

6680

2022+

原厂原装，欢迎咨询

深圳市亿鸿丰电子科技有限公司

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IXDF602PI

IXYSNA

6000

原装现货,长期供应,终端可账期

深圳市维尔达电子有限公司

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IXDF602PI

IXYSNA

3493

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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品

深圳市宇集芯电子有限公司

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IXDF602PI

IXYSDIP8

90000

23+

一级代理商进口原装现货、价格合理

深圳诚思涵科技有限公司

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IXDF602PI

IXYS/艾赛斯DIP8

96880

23+

只做原装,欢迎来电资询

易创佳业科技（深圳）有限公司

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IXDF602PI

IXYS Integrated Circuits Divis8DIP

9000

23+

原装正品，支持实单

深圳市昊创电子有限公司

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IXDF602PI

IXYS/艾赛斯DIP8

23500

1642+

代理品牌

深圳市威雅利发展有限公司

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    陈经理

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IXDF602PI

IXYSNA

12

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市凯斯宇科技有限公司

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IXDF602PI

Clare2AMOSFET8DIPDUALINV/NON-

5058

2022

原厂原装正品,价格超越代理

深圳市惊羽科技有限公司

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深圳市惊羽科技有限公司

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    刘-先-生-----Q-微-恭-候-------有-问-秒-回-------

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    深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室

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IXDF602PI

IXYS-艾赛斯DIP-8.直插

9328

24+25+/26+27+
1
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1000
+：￥3.4

一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市中联芯电子有限公司

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深圳市中联芯电子有限公司

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    陈楠

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    深圳市 福田区 振兴路 上步管理大厦 501栋402室

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IXDF602PI

IXYSNA

9000

24+

只做原装正品 有挂有货 假一赔十

东莞市万芯半导体有限公司

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东莞市万芯半导体有限公司

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    朱先生

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    广东省莞市塘厦镇塘厦宏业北路181号1栋126室

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IXDF602PI

IXYS/艾赛斯DIP8

6880

21+

只做原装

深圳市汇莱威科技有限公司

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IXDF602PI

DIP8

68900

IXYS

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IXDF602PI功能描述:2A MOSFET 8 DIP DUAL INV/NON-INV RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:低端 输入类型:非反相 延迟时间:40ns 电流 - 峰:9A 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大（自引导启动）:- 电源电压:4.5 V ~ 35 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA 供应商设备封装:TO-263 包装:管件

产品属性

  • 产品编号：

    IXDF602PI

  • 制造商：

    IXYS Integrated Circuits Division

  • 类别：

    集成电路（IC） > 栅极驱动器

  • 包装：

    管件

  • 驱动配置：

    低端

  • 通道类型：

    独立式

  • 栅极类型：

    IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电：

    4.5V ~ 35V

  • 逻辑电压 - VIL，VIH：

    0.8V，3V

  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：

    2A，2A

  • 输入类型：

    反相，非反相

  • 上升/下降时间（典型值）：

    7.5ns，6.5ns

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    8-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 供应商器件封装：

    8-DIP

  • 描述：

    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP

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