选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSSOP-8-EP |
2317 |
23+ |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
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深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
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IXYS/LittelfuseSOP-8 |
8000 |
23+ |
只做原装提供一站式配套供货中利达 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
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IXYSN/A |
4000 |
23+ |
IXYS长期原装现货特价支持主营品牌现货现货 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS Integrated Circuits Divis8SOICEP |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
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IXYS I |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IXYSna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
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IXYS8-SOIC-EP |
4258 |
22+ |
原装正品 价格优势 |
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讯运(深圳/上海)电子有限公司10年
留言
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IXYSSOIC-8-EP |
499 |
2021+ |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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IXYSSOIC |
57500 |
2021+ |
科研单位合格供应商!现货库存 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
18 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IXYSSOIC-8-EP |
3575 |
1921+ |
向鸿仓库现货,优势绝对的原装! |
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深圳企栗科技有限公司1年
留言
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搴曚环N/A |
2022 |
19+ |
全新原装亏本出13157115792 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
18 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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ClareICGATEDVR4ADUALHS8SOIC |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯SOP-8.贴片 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS Integrated Circuits Divis8SOICEP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IXYS Integrated Circuits Divis8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)裸露 |
6000 |
21+ |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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IXYS Integrated Circuits Divis8-SOIC-EP |
7500 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Littelfuse/IXYSSOP-8-EP |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYS Integrated Circuits Divis8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)裸露 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
IXDD604SITR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXDD604SITR图片
IXDD604SITR中文资料Alldatasheet PDF
更多IXDD604SITR功能描述:功率驱动器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXDD604SITR
- 制造商:
IXYS Integrated Circuits Division
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
独立式
- 栅极类型:
IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 35V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,3V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
4A,4A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
9ns,8ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-SOIC-EP
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC