| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市毅创辉电子科技有限公司3年
留言
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IXYSDIP18 |
6000 |
23+ |
15年原装正品企业 |
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深圳市汇创佳电子科技有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
3600 |
15+ |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IXYSTO-247-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
23+ |
全新原装 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IXYSTO-247 |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳企栗科技有限公司1年
留言
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IXYSTO247 |
819 |
20+ |
全新原装亏本出13157115792 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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LITTELFUSESMD |
518000 |
22+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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IXYSNA |
284 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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IXYSN/A |
284 |
1931+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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IXYSSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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TO-247 |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
2368 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2050 |
18+ |
公司大量全新原装 正品 随时可以发货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IXYSTO-3P |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IXYSTO-247 |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSTO247AD (IXBH) |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IXYSNA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市星辰微电科技有限公司3年
留言
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IXYS(艾赛斯)N/A |
7500 |
23+ |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
IXBH42N170采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IXBH42N170图片
IXBH42N170价格
IXBH42N170价格：￥85.5434品牌：IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXBH42N170多少钱，想知道IXBH42N170价格是多少？参考价：￥85.5434。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IXBH42N170批发价格及采购报价，IXBH42N170销售排行榜及行情走势，IXBH42N170报价。
IXBH42N170资讯
IXBH42N170深圳市英特瑞斯电子有限公司全新原装现货供应
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IXBH42N170中文资料Alldatasheet PDF
更多IXBH42N170功能描述:IGBT 晶体管 1700V 75A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXBH42N170A功能描述:IGBT 晶体管 BIMOSET 42A 1700V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IXBH42N170
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
BIMOSFET™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，42A
- 输入类型：
标准
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1700V 80A 360W TO247
