| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
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MicroseSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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MicrosemiN/A |
908 |
1942+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
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GHZTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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75 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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Microse下单NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
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9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55SW |
7 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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GHZTECHNA |
39960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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MICROSEMI55SW |
7 |
1809+ |
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ITC1100图片
ITC1100中文资料Alldatasheet PDF
更多ITC1100制造商:Microsemi Corporation 功能描述:ITC1100 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT 30V 80A 3-Pin Case 55SW-1
产品属性
- 产品编号：
ITC1100
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
1.03GHz
- 增益：
10dB ~ 10.5dB
- 功率 - 最大值：
3400W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
55SW
- 供应商器件封装：
55SW
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SW
