选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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INTERSILSOIC8 |
404 |
07+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
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IntersilN/A |
493 |
1931+ |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
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XICORSOIC8EP |
6000 |
23+ |
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司6年
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intersil原厂封装 |
10000 |
16+ |
全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOP8 |
68900 |
INTERSIL |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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INTERSIZSOP-8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市凯斯宇科技有限公司9年
留言
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IntersilICMOSFETDRVRSYNCBUCK8EPS |
5058 |
2022 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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RENESAS-瑞萨.SOP-8.贴片 |
9328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Intersil8SOICEP |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INTERSILSOP8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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INTERSIL原装 |
2300 |
22+ |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INTERSILSOP8 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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INTERSILSOIC8 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Intersil8SOICEP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Intersil8SOICEP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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2000 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Renesas Electronics America In8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)裸露 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Intersil表面贴装型 |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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INTERSIL8-SOIC-EP |
12500 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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Intersil8-SOIC-EP |
65200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
ISL6612ECBZ采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
ISL6612ECBZ图片
ISL6612ECBZ中文资料Alldatasheet PDF
更多ISL6612ECBZ功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127
ISL6612ECBZ-T功能描述:IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC RoHS:是 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:6,000 系列:*
产品属性
- 产品编号:
ISL6612ECBZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
管件
- 驱动配置:
半桥
- 通道类型:
同步
- 栅极类型:
N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
10.8V ~ 13.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
1.25A,2A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
26ns,18ns
- 工作温度:
0°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
- 供应商器件封装:
8-SOIC-EP
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC