| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRSOP |
273 |
20+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
21316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP8 |
17048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IR/INFINEONSOP-8 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
43676 |
22+ |
专营品牌.原装正品.终端BOM表可配单 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOIC-8 |
40 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
26550 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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12000 |
22+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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IRTSSOP |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
5315 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
210494 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市鼎欣微电子有限公司3年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
12000 |
23+ |
原装现货,直供终端工厂 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONSOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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INFINEONSOP8 |
28811 |
23+ |
进口原装,代理库存,公司现货,假一罚十,价格优惠 |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRSOP-8 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营SOP8 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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IRSOP8 |
15000 |
21+ |
绝对原装公司现货欢迎询价 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRSOP-8 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市大联智电子有限公司3年
留言
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IRSOP-8 |
34000 |
21+ |
原装现货,一站式配套 |
IRS2103STRPBF采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRS2103STRPBF价格
IRS2103STRPBF价格：￥3.4200品牌：IR
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IRS2103STRPBF资讯
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北京天阳诚业科贸有限公司是一家具有丰富的电子元器件分销经验的全球分销商。我们坚持只做原装正品，在全世界内分销、收购过剩库存，公司备有大量现货，同时我们代购国外代理商的库存。可以为客户长期备货和跟原厂定期货。TE，Tyco，AMP，MOLEX，，DELPHI，APTIV，JAE，YAZAKI，，JST，KET，Souriau，L-com，Schaff
IRS2103STRPBF
IRS2103STRPBF
IRS2103STRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRS2103STRPBF功能描述:功率驱动器IC Hlf Brdg Drvr Hi&Lw Sd Inpt 520ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRS2103STRPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
- 包装：
管件
- 驱动配置：
半桥
- 通道类型：
独立式
- 栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电：
10V ~ 20V
- 逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.5V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
290mA，600mA
- 输入类型：
反相，非反相
- 上升/下降时间（典型值）：
70ns，35ns
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：
8-SOIC
- 描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
