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深圳市坤融电子科技有限公司

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IRLZ44NS

IR

1250

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市美思瑞电子科技有限公司

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IRLZ44NS

IRD2-PAK

9450

22+

原装正品,实单请联系

深圳市金嘉锐电子有限公司

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IRLZ44NS

IRSOT263

32560

2024+

原装优势绝对有货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRLZ44NS

IRTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市鼎欣微电子有限公司

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IRLZ44NS

IRTO-263

21000

22+

原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。

深圳市福田区晶康业电子商行

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IRLZ44NS

IRSOT263

850

20+

全新原装,价格优势

深圳市誉腾达半导体科技有限公司

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IRLZ44NSTRLPBF

INFINEONTO-263-6

3200

22+

公司只有原装

深圳市智连鑫科技有限公司

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IRLZ44NSTRLPBF

INFINEONTO-263-6

8000

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只做原装正品,假一罚十

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263

8156

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-263

12424

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO263

7906200

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-263

16594

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市凌特半导体科技有限公司

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Infineon英飞凌专营TO-263

9000

原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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IRTO-263

300

15+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

京海半导体(深圳)有限公司

2年 留言
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INFINEONTO-263-6

3200

22+

只做原装,支持实单,来电咨询。

深圳市乐峰达科技有限公司

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INFINEONTO-263-6

8000

22+

原厂原装,实单加微信

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRLZ44NS

IRTO-263

12300

23+

深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,IR独立经销商,含增值税价格优势!

深圳市杰顺创科技有限公司

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IRTO-263

30490

21+

原装现货库存

深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRTO-263

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市得捷芯城科技有限公司

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IR/VISHAYNA/

18500

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

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IRLZ44NSPBF价格

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生产厂家品牌为IR的IRLZ44NSPBF多少钱,想知道IRLZ44NSPBF价格是多少?参考价:¥3.1334。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRLZ44NSPBF批发价格及采购报价,IRLZ44NSPBF销售排行榜及行情走势,IRLZ44NSPBF报价。

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IRLZ44NS制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC D2-PAK

IRLZ44NS/L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Logic-Level Gate Drive

IRLZ44NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLZ44NSTRL制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

IRLZ44NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLZ44NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLZ44NSTRRPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 22mOhms 32nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube