| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAk |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
10400 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRTO263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRATT |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRATT |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRATT |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAk |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
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深圳市雅芯通科技有限公司1年
深圳市雅芯通科技有限公司
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INFINEON/英飞凌N/A |
5000 |
24+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK |
800 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市金宏图电子科技有限公司1年
留言
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Infineon Technologies |
55200 |
22+ |
全新原装深圳现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
21+ |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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VBsemiTO263 |
4359 |
2219+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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VBsemiTO263 |
10065 |
21+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ID2PAK |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263(D |
7300 |
23+ |
专业优势供应 |
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IRLZ34NSTR图片
IRLZ34NSTRLPBF价格
IRLZ34NSTRLPBF价格：￥2.6585品牌：International
生产厂家品牌为International的IRLZ34NSTRLPBF多少钱，想知道IRLZ34NSTRLPBF价格是多少？参考价：￥2.6585。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLZ34NSTRLPBF批发价格及采购报价，IRLZ34NSTRLPBF销售排行榜及行情走势，IRLZ34NSTRLPBF报价。
IRLZ34NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLZ34NSTRL制造商:International Rectifier
IRLZ34NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ34NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
