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深圳市正纳电子有限公司

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IRLZ34N

IRTO-220

9782

ROHS全新原装

原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权

深圳兆威电子有限公司

6年 留言
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IRTO-220-3

90000

23+

只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市高捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-220

8048

23+

原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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Infineon(英飞凌)D2PAk

8357

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)TO-220

12316

23+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市欧立现代科技有限公司

10年 留言
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IRTO-263

9150

22+

绝对原装现货,价格低,欢迎询购!

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IRTO-220

22000

23+

原装现货假一罚十

深圳市坤融电子科技有限公司

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IRTO-262

2350

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市中联芯电子有限公司

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IR/INFINEONTO-220

5715

24+

只做原装 有挂有货 假一罚十

深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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5000

2015+

公司现货库存

深圳市赛尔通科技有限公司

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IRTO-220

65400

23+

深圳市赛能新源半导体有限公司

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IR/INFINEONTO-220

60000

21+

原装正品进口现货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市坤融电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-220

28

2022+

原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市金芯阳科技有限公司

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IR原厂原装

10400

15+

进口原装现货假一赔十

深圳市亚泰盈科电子有限公司

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IR/VISHAYSOT-263

30216

提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S

深圳市柯尔基电子有限公司

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IRTO-220AB

35268

22+

原包原标签100%进口原装可开13%税

深圳市航润创能电子集团有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-220

16880

20+

进口原装支持含税

深圳市奥皇科技有限公司

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Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3)

12125

22+

只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单

深圳市龙瀚电子有限公司

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IRTO-220

6135

16+

全新原装/深圳现货库2

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IRLZ34NSPBF价格

IRLZ34NSPBF价格:¥1.7499品牌:INTERNATIONAL

生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRLZ34NSPBF多少钱,想知道IRLZ34NSPBF价格是多少?参考价:¥1.7499。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRLZ34NSPBF批发价格及采购报价,IRLZ34NSPBF销售排行榜及行情走势,IRLZ34NSPBF报价。

IRLZ34NPBF资讯

IRLZ34NPBF

IRLZ34NPBF

IRLZ34NPBF MOSFET N沟道 500V 3.1A TO220 IR

深圳市轩嘉盛电子有限公司IRLZ34NPBF500V3.1ATO220IR

IRLZ34NPBF中文资料Alldatasheet PDF

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IRLZ34N制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220

IRLZ34N,127制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

IRLZ34N-002HR制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube

IRLZ34N-010HR制造商:International Rectifier 功能描述:HI-REL DISCRETE - Rail/Tube

IRLZ34NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

IRLZ34NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLZ34NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLZ34NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 27A 16.7nC 35mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLZ34NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLZ34NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 35mOhms 16.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube