| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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8000 |
23+ |
场效应管(MOSFET) |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
29999 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
6600 |
22+ |
正品渠道现货,终端可提供BOM表配单。 |
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深圳万胜威节能科技有限公司3年
留言
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6000 |
22 |
全新、原装 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IR-MXGTO263 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
75 |
10+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市晴轩时代电子有限公司6年
留言
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Infineon/英飞凌D2PAK |
8800 |
21+ |
公司只作原装正品 |
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深圳兆威电子有限公司7年
留言
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International RectifierNA |
1349 |
22+ |
原装正品支持实单 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌 |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBD2PAK |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市艾宇欣科技有限公司3年
留言
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InfineonN/A |
1125 |
1931+ |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-263 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2PAK |
7750 |
23+ |
全新原装优势 |
IRLZ24NSTR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRLZ24NSTRLPBF价格
IRLZ24NSTRLPBF价格：￥1.8172品牌：International
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IRLZ24NSTRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLZ24NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLZ24NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRLZ24NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ24NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLZ24NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:55V 18.000A D2PAK - Tape and Reel
