| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市中正中芯电子科技有限公司1年
留言
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INFINEONsot |
7500 |
22+ |
原厂批价一手货源,市场优惠价格 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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8000 |
23+ |
场效应管(MOSFET) |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IR/VISHAYSOT-263 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
29999 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
800 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，IR独立经销商，含增值税价格优势！ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO263 |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501509 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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IR |
35000 |
22+ |
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OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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INFINE0ND2PAK (TO-263) |
32568 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营 |
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IRLZ24NS图片
IRLZ24NSTRLPBF价格
IRLZ24NSTRLPBF价格：￥1.8172品牌：International
生产厂家品牌为International的IRLZ24NSTRLPBF多少钱，想知道IRLZ24NSTRLPBF价格是多少？参考价：￥1.8172。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLZ24NSTRLPBF批发价格及采购报价，IRLZ24NSTRLPBF销售排行榜及行情走势，IRLZ24NSTRLPBF报价。
IRLZ24NS资讯
IRLZ24NS MOSFET N沟道 55V 18A TO263 IR
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRLZ24NS55V18AMOSFETN沟道
IRLZ24NS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLZ24NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLZ24NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN D2PAK - Bulk
IRLZ24NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 60mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ24NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLZ24NSTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 18A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRLZ24NSTRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 18A 60mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLZ24NSTRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLZ24NSTRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:55V 18.000A D2PAK - Tape and Reel
