| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYTO-251 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-251 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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IORTO251-3 |
18000 |
23+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRNA |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-251 |
2000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRI-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO251 |
74707 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
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IR |
35000 |
22+ |
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OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO251 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-251 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-251 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IORTO251-3 |
382 |
06+07+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRI-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRI-pak |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO-251 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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IRTO251-3 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-251 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
IRLU7833采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRLU7833PBF价格
IRLU7833PBF价格：￥5.8066品牌：IR
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IRLU7833中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLU7833功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLU7833-701PBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A IPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLU7833PBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU7833TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 140A, 4.5 mOhm, 38 nC Qg, Logic Level, I-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLU7833TRR701P功能描述:MOSFET MOSFET, 30V, 140A, 4.5 mOhm, 38 nC Qg, Logic Level, IPAK-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
