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深圳市科翼源电子有限公司

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IRLU014

IRTO-251

2501

23+

原厂原装正品

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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VISHAY(威世)TO-251

7845

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

瀚佳科技(深圳)有限公司

6年 留言
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IR原装TO-251

9860

19+

一级代理

深圳市富芯乐电子科技有限公司

9年 留言
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IRTO-220

10000

22+

绝对全新原装现货

深圳市得捷芯城科技有限公司

5年 留言
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VISHAY/威世NA/

5250

23+

原装现货,当天可交货,原型号开票

标准国际(香港)有限公司

16年 留言
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IR

67

2002

公司优势库存 热卖中!!

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO-251

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市惊羽科技有限公司

4年 留言
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VISHAY-威世TO-251-3

9328

24+25+/26+27+

1
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

易创佳业科技(深圳)有限公司

3年 留言
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IRTO-251

6000

23+

原装正品,支持实单

深圳市汇莱威科技有限公司

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VISHAY/威世TO-251

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳市宏世佳电子科技有限公司

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IRTO-251

5425

2023+

全新原厂原装产品、公司现货销售

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRTO-251

35890

23+

深圳市恒创达实业有限公司

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IRTO-220

6200

17+

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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VISTO-251

10000

23+

原装正品,假一罚十

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO-251

68900

VISHAY/威世

原包原标签100%进口原装常备现货!

深圳市华斯顿科技有限公司

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    朱先生-余先生-夏小姐-张小姐

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    深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜

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IR原装TO-251

22916

22+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市安富世纪电子有限公司

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IRTO-251

8000

23+

只做原装现货

深圳市华来深电子有限公司

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    朱先生

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IRTO-251

8650

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受权代理!全新原装现货特价热卖!

深圳市芯福林电子科技有限公司

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Vishay SiliconixTO2513 Short Leads IPak TO251A

13880

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公司只售原装,支持实单

深圳市河锋鑫科技有限公司

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    杨佳河

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    深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D

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Vishay SiliconixTO2513 Short Leads IPak TO251A

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IRLU014功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLU014N功能描述:MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRLU014NHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 10A 3PIN IPAK - Bulk

IRLU014NPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms 5.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRLU014PBF功能描述:MOSFET N-Chan 60V 7.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube