| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-pak |
20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
5107 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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IRDPAK |
30000 |
1436+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRTO-252 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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IRD-pak |
14435 |
2105+ |
原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD-Pak |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
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IRTO-252 |
5623 |
22+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRT0-252 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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IORSOT252 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
IR/VISHAY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
IRLR8113采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR8113图片
IRLR8113PBF价格
IRLR8113PBF价格：￥3.3748品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRLR8113PBF多少钱，想知道IRLR8113PBF价格是多少？参考价：￥3.3748。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLR8113PBF批发价格及采购报价，IRLR8113PBF销售排行榜及行情走势，IRLR8113PBF报价。
IRLR8113中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR8113功能描述:MOSFET N-CH 30V 94A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR8113PBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR8113TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 94A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR8113TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 94A 6mOhm 22nC Qg Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
