| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEOTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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INFINEOTO-252 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEONTO-252 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRDPAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRSOT-252 |
3000 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IRDPAK |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-252 |
34 |
05+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
22+ |
只做原装假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRDPAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
IRLR8103采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRLR8103图片
IRLR8103VTRPBF价格
IRLR8103VTRPBF价格：￥2.0528品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRLR8103VTRPBF多少钱，想知道IRLR8103VTRPBF价格是多少？参考价：￥2.0528。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRLR8103VTRPBF批发价格及采购报价，IRLR8103VTRPBF销售排行榜及行情走势，IRLR8103VTRPBF报价。
IRLR8103资讯
IRLR8103VTRPBF LR8103V TO-252/D-PAK 原装正品现货可售样品
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列，常备大量的原装库存，厂家直销，授权分销公司现货库存供应IRLR8103VTRPBF，正品原装，现货热卖，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。
IRLR8103中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR8103TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 89A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR8103V制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Int'L Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR8103VHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 91A 3PIN DPAK - Rail/Tube
IRLR8103VPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR8103VTR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 30V, 89A, 9 mOhm, 27 nC Qg, Logic Level, D-Pak
IRLR8103VTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR8103VTRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 91A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR8103VTRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR8103VTRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR8103VTRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
