选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
18482 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
15000 |
23+ |
代理原装现货,价格优势 |
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深圳市和悦电子贸易有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
3091 |
14+ |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
720 |
21+ |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
9986 |
20+ |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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2000 |
12+ |
PG-TO252-3 (DPAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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INFINEON/IRPG-TO252-3 (DPAK) |
2000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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IRSOT252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
36000 |
16+ |
原装正品,优势库存81 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
720 |
1437+ |
原装正品假一赔万向鸿伟业现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
IRLR7821采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLR7821图片
IRLR7821PBF价格
IRLR7821PBF价格:¥1.2586品牌:IR
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IRLR7821TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLR7821功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR7821CPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7821CTRPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7821CTRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 65A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLR7821HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 65A 3PIN DPAK - Rail/Tube
IRLR7821PBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR7821TR制造商:International Rectifier
IRLR7821TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 65A 3PIN DPAK - Tape and Reel
IRLR7821TRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 65A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR7821TRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 65A 10mOhm 10nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube