| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IRSOT23 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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200 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOT23 |
2219 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRA |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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DIP-14 |
5000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-236-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-236-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOT-23 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT23 |
32316 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT23 |
28048 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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UMW(广东友台半导体)SOT-23 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌MICR-3 |
232272 |
21+ |
全新、原装 |
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芯权科技（深圳）有限公司1年
留言
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INFINEONSOT-23 |
68950 |
23+ |
原装/支持-工厂-含税-拆样 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
8313 |
2311+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRSOT-23 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-23 |
9500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT23 |
50000 |
21+ |
只做原装,支持实单! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONMICR-3 |
226272 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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更多IRLML2803TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLML2803TRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 3-Pin Micro T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 1.2A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel
IRLML2803TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 1.2A 250mOhm 3.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLML2803TRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 30 V 540 W 3.3 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3
