选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRSOT-223 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONSOT-223 |
131808 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
留言
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Infineon(英飞凌)OT-223 |
16124 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
12095 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市世华芯科技有限公司1年
留言
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INFINEON原厂封装 |
3000 |
2147+ |
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15年芯片行业经验/只供原装正品 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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INFINEONSOT-223 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
7827 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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IRNN/A |
585 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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IRSOT-223 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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Infineon(英飞凌)SOT-223 |
5142 |
2304+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
8000 |
2122+ |
原装现货,假一赔十,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-223 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRSOT223 |
98000 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT223 |
22000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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INFINEON原封装 |
81220 |
22+ |
只做原装进口货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT223 |
59000 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
IRLL014NTR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLL014NTR图片
IRLL014NTRPBF价格
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IRLL014NTRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLL014NTR功能描述:MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLL014NTRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRLL014NTRPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL014NTRPBF-CUT TAPE制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 2.1 W 9.5 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOT-223-3