选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
2600 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
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IRTO-220 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SUPER-220 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixSuper220? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixSuper220? |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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VishaySUPER-TO-220 |
33500 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SUPER-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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VishaySUPER-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixSuper220? |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SUPER-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
留言
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VishaySiliconixSuper-220? |
65500 |
2019+ |
原装正品货到付款,价格优势! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SUPER-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1628 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
3600 |
12+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-273 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
IRLBA3803采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRLBA3803图片
IRLBA3803PPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRLBA3803功能描述:MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLBA3803/P制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220(TO-273AA) package
IRLBA3803P功能描述:MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLBA3803PPBF制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 30V, 179A, 5 MOHM, 93.3 NC QG, LOGIC LEVEL, TO-273AA 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 179A 3PIN TO-273AA - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N 30V 179A SUPER 220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, 179A, SUPER 220 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, 30V, 179A, SUPER 220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:179A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):5mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 30V, 179A, SUPER-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Dra