| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
65400 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9865 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IORSOP |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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IRTO-263 |
3000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
2 |
1603+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK |
18401 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1600 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市昊创电子有限公司12年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
2021+ |
原装现货。 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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IRTO263 |
8600 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
65400 |
23+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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IRL3803S图片
IRL3803STRLPBF-CUTTAPE价格
IRL3803STRLPBF-CUTTAPE价格：￥11.1052品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRL3803STRLPBF-CUTTAPE多少钱，想知道IRL3803STRLPBF-CUTTAPE价格是多少？参考价：￥11.1052。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL3803STRLPBF-CUTTAPE批发价格及采购报价，IRL3803STRLPBF-CUTTAPE销售排行榜及行情走势，IRL3803STRLPBF-CUTTAPE报价。
IRL3803STRRPBF资讯
IRL3803STRRPBF
IRL3803STRRPBF
IRL3803STRRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3803S功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL3803SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3803STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 140A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3803STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3803STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 93.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
