| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
45 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO263 |
6528 |
2016+ |
只做进口原装现货!假一赔十! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
18500 |
23+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRSOT-5995&NBS |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45980 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
200 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
90000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRD2-Pak |
12500 |
2015+ |
全新原装,现货库存长期供应 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
26996 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYD2-PAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市芯为科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
IRL3716S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3716S图片
IRL3716S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3716S功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3716SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
