| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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IRTO220 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IR原厂封装 |
268 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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IRTO-220AB |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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IRTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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求购ICTO-220 |
5083 |
2016+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
22800 |
23+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
12550 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRSOT-5993&NBS |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
IRL3716采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3716图片
IRL3716PBF价格
IRL3716PBF价格：￥7.8566品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRL3716PBF多少钱，想知道IRL3716PBF价格是多少？参考价：￥7.8566。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL3716PBF批发价格及采购报价，IRL3716PBF销售排行榜及行情走势，IRL3716PBF报价。
IRL3716资讯
IRL3716
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IRL3716中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3716功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3716HR制造商:International Rectifier 功能描述:IRL3716HR - Tape and Reel
IRL3716L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRL3716LPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716S功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3716SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3716STRRPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 180A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
