选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-PAK |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501471 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IR原厂原装 |
12751 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
501471 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRD2-Pak |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
5599 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IRD2-PAK |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
IRL3715ZCS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL3715ZCS图片
IRL3715ZCS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3715ZCS功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZCSPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZCSTRLP功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715ZCSTRRP功能描述:MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件