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深圳市河锋鑫科技有限公司

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    杨小姐

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IRL3715S

IR263

31518

17+

原装正品 可含税交易

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

10年 留言
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IRL3715S

IRTO-263

12300

23+

深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势!

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

8年 留言
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IR原厂封装

350000

2020+

100%进口原装正品公司现货库存

深圳和润天下电子科技有限公司

5年 留言
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IRTO-263

86830

22+

深圳市博浩通科技有限公司

14年 留言
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IRTO263

2150

23+

专业优势供应

深圳市科恒伟业电子有限公司

9年 留言
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IRTO-263

9851

2048+

只做原装正品现货!或订货假一赔十!

深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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IRTO-263

35890

23+

深圳市胜彬电子有限公司

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IRSOT263

8000

22+

1+
:¥0.1

原装正品支持实单

深圳市星佑电子有限公司

16年 留言
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IR原厂原装

9501

05+

只做全新原装真实现货供应

深圳市特顺芯科技有限公司

15年 留言
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IRTO-263

100000

深圳市赛美科科技有限公司

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IRNA

8560

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳廊盛科技有限公司

6年 留言
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IRTO263

80000

2022

原装现货,OEM渠道,欢迎咨询

深圳市天成基业科技有限公司

2年 留言
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IRTO-263

9500

20+/21+

全新原装进口价格优势

深圳市芯祺盛科技有限公司

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    黄佩怡

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IRTO263

8862

1746+

深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!

深圳市宇集芯电子有限公司

9年 留言
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    肖先生/程小姐(公司为一般纳税人,可开13%增票)

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    深圳市福田区华强北赛格科技园四栋西5楼C11【只做原装正品】

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IRTO-263

90000

23+

一级代理商进口原装现货、价格合理

艾睿国际(香港)有限公司

2年 留言
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    15813737183

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IRTO-263

100500

2021+

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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IRTO-263

8000

23+

专注配单,只做原装进口现货

深圳市安富世纪电子有限公司

4年 留言
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IRSOT-263

8000

23+

只做原装现货

深圳市得捷芯城科技有限公司

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    杨先生

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IRNA/

140

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

易创佳业科技(深圳)有限公司

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    18929336079

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IR263

6000

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原装正品,支持实单

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IRL3715S功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3715SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL3715STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3715STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3715STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL3715STRRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube