选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IR263 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
86830 |
22+ |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO263 |
2150 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRSOT263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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IR原厂原装 |
9501 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-263 |
100000 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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IRNA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOT-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
140 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IR263 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
IRL3715S采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL3715S图片
IRL3715S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3715S功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715SPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3715STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3715STRRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 14mOhms 11nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube