| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
7828 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
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IRTO-263 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYNA/ |
22500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
20889 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR/VISHAY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRD2-Pak |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
24+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
18000 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
12000 |
2105+ |
原装正品 |
IRL3714ZS采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3714ZS图片
IRL3714ZSTRL价格
IRL3714ZSTRL价格：￥9.7014品牌：International
生产厂家品牌为International的IRL3714ZSTRL多少钱，想知道IRL3714ZSTRL价格是多少？参考价：￥9.7014。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL3714ZSTRL批发价格及采购报价，IRL3714ZSTRL销售排行榜及行情走势，IRL3714ZSTRL报价。
IRL3714ZS资讯
IRL3714ZS N沟道 MOSFET 20V 36A TO263 IR
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL3714ZS20V36ATO263MOSFET
IRL3714ZS中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3714ZS功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3714ZSHR制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 36A 3PIN D2PAK - Bulk
IRL3714ZSPBF功能描述:MOSFET MOSFT 20V 36A 4.8nC 16mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3714ZSTRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3714ZSTRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3714ZSTRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3714ZSTRRPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 20mOhms 6.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
