| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
100000 |
22+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP16 |
10000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEONSOP |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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4650 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO220 |
8300 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-PAK |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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INFINEON/IRPG-TO262-3 |
2200 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市金嘉锐电子有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
32560 |
2024+ |
原装优势绝对有货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
65400 |
23+ |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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INFINEONTO-220 |
4800 |
21+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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IRTO262-3 |
24400 |
16+22+ |
正规渠道,只有原装! |
IRL3705采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3705图片
IRL3705NPBF价格
IRL3705NPBF价格：￥2.9614品牌：International
生产厂家品牌为International的IRL3705NPBF多少钱，想知道IRL3705NPBF价格是多少？参考价：￥2.9614。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL3705NPBF批发价格及采购报价，IRL3705NPBF销售排行榜及行情走势，IRL3705NPBF报价。
IRL3705ZLPBF资讯
IRL3705ZLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3705功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-220AB
IRL3705N制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
IRL3705NL功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705NLPBF功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3705NS功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3705NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 89A 3PIN D2PAK - Bulk
IRL3705NSL制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Logic-Level Gate Drive
IRL3705NSPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 10mOhms 65.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3705NSTRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
