| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
10000 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRTO220 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/VISHAYTO-220 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
8600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
89681 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-220 |
260 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3300 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
6680 |
2022+ |
原厂原装，欢迎咨询 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IR/VISHAYTO-220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
留言
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IRTO-220AB |
19889 |
2015+ |
一级代理原装现货,特价热卖! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2203 |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-220-3 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
19526 |
23+ |
IRL3303采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3303图片
IRL3303LPBF价格
IRL3303LPBF价格：￥4.5624品牌：IR
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IRL3303中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3303功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1S功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1SHR制造商:International Rectifier 功能描述:30V 25.000A D2PAK - Rail/Tube
IRL3303D1STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303D1STRLHR制造商:International Rectifier 功能描述:30V 25.000A D2PAK - Tape and Reel
IRL3303D1STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 38A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRL3303L功能描述:MOSFET N-CH 30V 38A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3303LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 38A 26mOhm 17.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
