选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-220AB |
68900 |
IR/VISHAY |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYNA/ |
22800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
5443 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO-220AB |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRTO-220AB |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-220 |
35890 |
23+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IR/VISHAYTO-220AB |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-220 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO220 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
IRL3202采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRL3202图片
IRL3202中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3202制造商:International Rectifier
IRL3202HR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRL3202L功能描述:MOSFET N-CH 20V 48A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3202PBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 28.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3202S功能描述:MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3202SPBF制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRL3202STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件