选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-262 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONSOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
13150 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBD2PAK |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3531 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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irTO263 |
9526 |
23+ |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT-263 |
7650 |
20+/21+ |
全新原装价格优势 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO263 |
281 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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IRTO-263 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO263 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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上海涵恩科技有限公司(原上海凌岳电子)10年
留言
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3000 |
2023+ |
进口原装现货 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IORTO-263 |
18174 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRTO263 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IORTO263 |
1130 |
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IRL3103STRL图片
IRL3103STRL中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3103STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube