| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-262 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONSOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
450 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRSOT-263 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRSOT-263 |
5295 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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IR5330 |
29860 |
2122+ |
全新原装正品,价格优势一片起售,可做含税 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOT-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRSOT-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IRSOT-263 |
1820 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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IR5330 |
10000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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IRTO-263 |
3900 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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上海意淼电子科技有限公司8年
留言
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HARRISTO252 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO263 |
800 |
01+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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IR/VISHAYSOT263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市金宏图电子科技有限公司1年
留言
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Infineon Technologies |
3200 |
22+ |
全新原装深圳现货 |
IRL3103STR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3103STR图片
IRL3103STRLPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3103STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3103STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRL3103STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
