| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
12000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市硅诺电子科技有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
3200 |
2021 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
320 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONSOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-262 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRTO-263 |
450 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
5000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
46480 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
57550 |
2022+ |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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IRNA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
30000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
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深圳市宇创芯科技有限公司10年
留言
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IRTO263 |
9600 |
22+ |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRTO-263 |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
IRL3103S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3103S图片
IRL3103S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3103S功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103SHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN D2PAK - Bulk
IRL3103SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 12mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3103STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRLPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3103STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103STRRHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 64A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 64A 3PIN D2PAK - Tape and Reel
IRL3103STRRPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
