| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IRNA/ |
405 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
19650 |
02+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRFSOT263 |
81000 |
23+ |
专业优势供应 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
|||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IRTO-263 |
19650 |
23+ |
||||
|
深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
|
IORTO-263 |
5825 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
6523 |
1816+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRTO-263 |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
IRTO-263 |
1186 |
02+ |
||||
|
深圳市晨豪科技有限公司10年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
89630 |
23+ |
当天发货全新原装现货 |
|||
|
标准国际(香港)有限公司16年
留言
|
IR |
10 |
98 |
公司优势库存 热卖中!! |
|||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
VISHAY-威世TO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
IR220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
上海金庆电子技术有限公司16年
留言
|
IR |
225 |
新 |
全新原装 货期两周 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
|
IRTO-263-2 |
5425 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
IRL3103D1S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3103D1S图片
IRL3103D1S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3103D1S功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1SPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1STRLP功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
