| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
|
IRTO-263 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO263 |
7906200 |
|||||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
IR/INFINEONSOT-263 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
Infineon(英飞凌)TO-262 |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
|
IR原厂封装 |
15850 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
320 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
5715 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一罚十 |
|||
|
深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
|||
|
深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
|
IRTO-220 |
65400 |
23+ |
||||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO263 |
12000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
|
深圳市奥皇科技有限公司1年
留言
|
Infineon/英飞凌TO-220(TO-220-3) |
25434 |
22+ |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
6000 |
21+ |
原装正品 |
||||
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
IRTO-220 |
35268 |
22+ |
原包原标签100%进口原装可开13%税 |
|||
|
深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
|
IRTO-263 |
450 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
|||
|
深圳市荣泽信电子科技有限公司12年
留言
|
IRTO-220 |
15000 |
13+ |
全新原装的现货 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IRTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
IRTO-220 |
14 |
024+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
IRTO-220 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
IRL3103采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3103图片
IRL3103PBF价格
IRL3103PBF价格：￥2.8459品牌：International
生产厂家品牌为International的IRL3103PBF多少钱，想知道IRL3103PBF价格是多少？参考价：￥2.8459。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL3103PBF批发价格及采购报价，IRL3103PBF销售排行榜及行情走势，IRL3103PBF报价。
IRL3103资讯
IRL3103 正品原装 现货供应
富尔鸿电子13537555697100%现货
IRL3103中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3103制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
IRL3103D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1PBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1S功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1SPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1STRLP功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D1STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3103D2制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 54A TO-220AB, Transistor Polarity:N Channel, Continuous D
IRL3103D2PBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
