| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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IRTO263 |
2500 |
22+ |
进口原装现货/假一赔十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRTO263 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
888888 |
21+ |
原装正品现货/订货 价格优惠可开票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
3973 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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IRTO252 |
3973 |
2005 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IRTO252 |
8890 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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IR263 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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IR263 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
28500 |
1415+ |
全新原装正品,优势热卖 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市宝芯创电子有限公司9年
留言
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IRTO252 |
25455 |
18+ |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
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深圳市吉利鑫科技发展有限公司2年
留言
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IR263 |
10000 |
22+ |
绝对原装现货热卖 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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IRTO252 |
4550 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
37248 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
IRL3102STR采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL3102STR图片
IRL3102STRL中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL3102STRL功能描述:MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL3102STRLPBF功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 38.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL3102STRR功能描述:MOSFET N-CH 20V 61A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
