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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRL2703S

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深圳市安富世纪电子有限公司

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深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO263

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深圳市坤融电子科技有限公司

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IR

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深圳市安富世纪电子有限公司

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现货很近!原厂很远!只做原装

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IRL2703S

IRTO-263

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深圳宏捷佳只供全新原装,真实库存,原厂独立经销,含增值税价格优势!

深圳市汇莱威科技有限公司

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TO-263

68900

IR

原包原标签100%进口原装常备现货!

中天科工半导体(深圳)有限公司

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IR/VISHAYTO-263

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原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

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IR原厂封装

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100%进口原装正品公司现货库存

深圳市博浩通科技有限公司

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IRD2-Pak

8600

23+

全新原装现货

鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司

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IRTO263-2.5

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深圳市永贝尔科技有限公司

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FREESCALENA

19960

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只做进口原装,终端工厂免费送样

深圳市晨豪科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-263

89630

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当天发货全新原装现货

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRD2-PAK

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原装现货

深圳市天成基业科技有限公司

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IRTO-263

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全新原装进口价格优势

深圳市昌和盛利电子有限公司

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IRTO-263

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深圳兆威电子有限公司

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只做原厂渠道价格优势可提供技术支持

深圳市莱克讯科技有限公司

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IRD2-pak

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深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票

深圳市莱克讯科技有限公司

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    业务部:朱先生//朱小姐(台湾-日本-美国))

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IRTO-263-2

25899

2017+

深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增

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IRL2703S功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL2703SPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 10nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL2703STRL功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL2703STRLPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL2703STRR功能描述:MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件