| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT263 |
1350 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
1000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
9852 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
90650 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRD2-PAK |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IR |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳市新力诚科技有限公司9年
留言
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原厂TO-263 |
20000 |
2020+ |
公司代理品牌,原装现货超低价清仓! |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IR原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRSOT263 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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IRTO-263 |
555 |
1932+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRD2-PAK |
48000 |
2022+ |
只做原装,原装,假一罚十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRSOT263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscD2PAK/TO-263 |
225 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
IRL2505S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL2505S图片
IRL2505SPBF价格
IRL2505SPBF价格：￥6.7977品牌：INTERNATIONAL
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IRL2505S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL2505S功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2505S/L制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET
IRL2505SPBF功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2505STRL功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2505STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 55V 104A 8mOhm 86.7nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2505STRR功能描述:MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
