| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
10000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO220 |
13236 |
23+ |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)TO220 |
8968 |
23+ |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)D2PAK |
8357 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
2033 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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IRTO-220 |
22000 |
23+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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IRD2-PAK |
9865 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
18454 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IR/INFINEONTO-220 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-263 |
2400 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
8150 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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IRTO263 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
9782 |
ROHS全新原装 |
原装现货在线咨询样品※技术支持专业电子元器件授权 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO263 |
7906200 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
5033 |
24+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
65400 |
23+ |
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深圳市凌特半导体科技有限公司2年
留言
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Infineon英飞凌专营TO-220 |
9000 |
原装现货当天可交货,长期备货支持BOM配单账期 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO263 |
4000 |
2022+ |
原装原厂代理 可免费送样品 |
IRL2203采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
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IRL2203NPBF价格
IRL2203NPBF价格：￥2.7931品牌：INTERNATIONAL
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IRL2203NPBF
IRL2203NPBF
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更多IRL2203制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=7.0mohm, Id=116A)
IRL2203N功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2203NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 116A 3PIN TO-220AB - Bulk
IRL2203NL功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2203NLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 116A 7mOhm 40nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2203NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2203NS功能描述:MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL2203NSHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 116A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRL2203NSPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 40nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL2203NSTRL制造商:International Rectifier
