| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
9000 |
24+ |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-263 |
35890 |
23+ |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
59630 |
23+24 |
主营原装MOS,二三级管,肖特基,功率场效应管 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-263 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
18000 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRD2-PAK |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市科思奇电子科技有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
360000 |
22+ |
进口原装房间现货实库实数 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMIDPAK |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-PAK |
12888 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
24661 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市莱克讯科技有限公司8年
留言
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IRTO-263 |
6896 |
1923+ |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
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IRL1104S图片
IRL1104S资讯
IRL1104S MOSFET N-CH 40V 104A SOT263 IR国际整流器
深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL1104S40V104A
IRL1104S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL1104S功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1104SPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1104STRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1104STRLPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1104STRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
