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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IR/VISHAYTO-263

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市纳艾斯科技有限公司

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IRTO-220

80000

2020+

只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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TO220

68900

VB

原包原标签100%进口原装常备现货!

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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IR/VISHAYTO-220

36900

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳和润天下电子科技有限公司

5年 留言
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IRTO-220

88802

22+

深圳市博浩通科技有限公司

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IRTO-220AB

8600

23+

全新原装现货

深圳市晨豪科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-220

89630

23+

当天发货全新原装现货

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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IRTO-220

10000

22+

绝对全新原装现货

深圳市昌和盛利电子有限公司

14年 留言
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IRTO-220

35890

23+

深圳市莱克讯科技有限公司

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IRTO220

35689

2017+

深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票

深圳市环球伟业电子有限公司

2年 留言
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IR/International Rectifier/国TO-220

304

21+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市骏思创达科技有限公司

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IR12550

2021

TO-220AB

原装现货价格优势假一赔十

深圳市振宏微科技有限公司

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IRTO-220

10000

23+

专做原装正品,假一罚百!

深圳市维尔达电子有限公司

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ADILFCSP32

6000

2022+

一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品

深圳市汇莱威科技有限公司

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VBTO220

562000

2320+

16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品

深圳市星佑电子有限公司

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irTO-220

15000

06+

原装库存

深圳市科恒伟业电子有限公司

9年 留言
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IRTO220

6528

2018+

只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心

深圳市特顺芯科技有限公司

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IRTO-220AB

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08+(pbfree)

深圳市汇莱威科技有限公司

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IRTO-220

265209

假一罚十原包原标签常备现货!

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IR/VISHAYTO-TO-220

12300

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IRL1104资讯

IRL1104S MOSFET N-CH 40V 104A SOT263 IR国际整流器

深圳市轩嘉盛电子有限公司IRL1104S40V104A

IRL1104中文资料Alldatasheet PDF

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IRL1104功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL1104L功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL1104LPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL1104PBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL1104S功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL1104SPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL1104STRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

IRL1104STRLPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 45.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

IRL1104STRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件