| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
|
IRD2-PAK |
9450 |
22+ |
原装正品，实单请联系 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRD2-pak |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
31 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳权泰科技有限公司2年
留言
|
VISHAYTO-263 |
16000 |
18+ |
原装现货实单必成 只做原装！ |
|||
|
深圳兆威电子有限公司5年
留言
|
IRTO-263 |
36000 |
22+ |
代理渠道力挺长期原装现货 可开增票 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
 |
IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
IRTO-263 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
|||
|
深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
|
Infineon TechnologiesTO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
|||
|
鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
|
IR专卖QFN |
18000 |
23+ |
||||
|
深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
|
IRTO-263 |
20000 |
22+ |
绝对全新原装现货 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
IRNA/ |
5990 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
INFINEON/英飞凌D2PAK |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
IRTO-263 |
54789 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
|
IRD2-Pak |
7600 |
23+ |
全新原装现货 |
|||
|
深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
|
IR/International Rectifier/国TO-263 |
9801 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
|
IRTO-263 |
30000 |
23+ |
全新原装现货,价格优势 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
IRD2-Pak |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
|
IRTO-263 |
30000 |
23 |
全新原装现货 价格优势 |
IRL1004S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRL1004S图片
IRL1004STRLPBF价格
IRL1004STRLPBF价格：￥11.0603品牌：International
生产厂家品牌为International的IRL1004STRLPBF多少钱，想知道IRL1004STRLPBF价格是多少？参考价：￥11.0603。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRL1004STRLPBF批发价格及采购报价，IRL1004STRLPBF销售排行榜及行情走势，IRL1004STRLPBF报价。
IRL1004S资讯
IRL1004STRRPBF公司大量原装正品现货/长期供应
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
IRL1004S中文资料Alldatasheet PDF
更多IRL1004S功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1004SPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 66.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1004STRL功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1004STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 110A 6.5mOhm 66.7nC LogLv RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL1004STRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRL1004STRRPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 6.5mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
