| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-263 |
6000 |
24+ |
只做原装假一赔十 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
36800 |
21+ |
进口原装现货 假一赔十 |
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深圳市云迪科技有限公司7年
留言
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IRTO-263 |
10000 |
22+ |
原装正品优势供应 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
6900 |
2138+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
25000 |
23+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRD2-Pak |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
18291 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
2100 |
19+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-263 |
12300 |
23+ |
深圳宏捷佳只供全新原装，真实库存，原厂独立经销，含增值税价格优势！ |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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求购ICTO-263 |
5083 |
2016+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-263 |
374 |
23+ |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesD2PAK |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IR/FSCTO-263 |
9500 |
23+ |
专业优势供应 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
38160 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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IR/International Rectifier/国TO-220 |
200 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
IRGS14C40L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRGS14C40L图片
IRGS14C40LTRLP价格
IRGS14C40LTRLP价格：￥10.7016品牌：International
生产厂家品牌为International的IRGS14C40LTRLP多少钱，想知道IRGS14C40LTRLP价格是多少？参考价：￥10.7016。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRGS14C40LTRLP批发价格及采购报价，IRGS14C40LTRLP销售排行榜及行情走势，IRGS14C40LTRLP报价。
IRGS14C40L中文资料Alldatasheet PDF
更多IRGS14C40L功能描述:IGBT IGNITION 430V 20A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRGS14C40LPBF功能描述:IGBT 晶体管 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRGS14C40LPBF-EL制造商:International Rectifier
IRGS14C40LTRL制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TRANSISTOR COLLECTOR EMITTER VOLTAG
IRGS14C40LTRLP功能描述:IGBT 模块 RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
产品属性
- 产品编号：
IRGS14C40L
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.75V @ 5V，14A
- 输入类型：
逻辑
- 25°C 时 Td（开/关）值：
900ns/6µs
- 工作温度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：
D2PAK
- 描述：
IGBT 430V 20A 125W D2PAK
