| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220 |
230 |
18+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-220AB |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRTO-220AB |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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IRTO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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IRTO-220 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
17138 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-220-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRNA |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IRTO-220AB |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO220 |
8862 |
1746+ |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
9000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IR/VISHAYTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
IRGB30B60K采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRGB30B60K图片
IRGB30B60KPBF价格
IRGB30B60KPBF价格：￥11.4604品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRGB30B60KPBF多少钱，想知道IRGB30B60KPBF价格是多少？参考价：￥11.4604。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRGB30B60KPBF批发价格及采购报价，IRGB30B60KPBF销售排行榜及行情走势，IRGB30B60KPBF报价。
IRGB30B60K中文资料Alldatasheet PDF
更多IRGB30B60K功能描述:IGBT 600V 78A TO-220AB RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRGB30B60KPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRGB30B60K
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，30A
- 开关能量：
350µJ（开），825µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/185ns
- 测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 78A 370W TO220AB
