选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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IRTO-247 |
19700 |
2019 |
INFINEON品牌专业原装优质 |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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INFINEON/IRTO-247AD |
75 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-247 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
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75 |
11+ |
TO-247-3 Long Leads (TO-247AD) |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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IR(国际整流器)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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IRTO-247 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-247 |
225 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-247 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35800 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-247 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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IRTO-247 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IRTO-247 |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
225 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市英瑞芯科技有限公司2年
留言
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IRTO-247 |
8900 |
22+ |
英瑞芯只做原装正品!!! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
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IRTO-247 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
IRG7PH42UD采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRG7PH42UD图片
IRG7PH42UD1-EP价格
IRG7PH42UD1-EP价格:¥25.4609品牌:International Rectifier
生产厂家品牌为International Rectifier的IRG7PH42UD1-EP多少钱,想知道IRG7PH42UD1-EP价格是多少?参考价:¥25.4609。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRG7PH42UD1-EP批发价格及采购报价,IRG7PH42UD1-EP销售排行榜及行情走势,IRG7PH42UD1-EP报价。
IRG7PH42UD中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG7PH42UD1-EP制造商:International Rectifier 功能描述:1200V 85.000A COPAK-247 - Rail/Tube
IRG7PH42UD1MPBF制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-247 - Rail/Tube 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT 1200V 85A 313W TO247AD 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / IGBT TO-247
IRG7PH42UD1PBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V 85A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG7PH42UD-EP功能描述:IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG7PH42UDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Generic Ind App RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube