选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
57550 |
2022+ |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
32568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO252 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市芯睿晨电子有限公司6年
留言
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IRTO252 |
30486 |
21+ |
原装现货,实单带价来谈,假一罚十。 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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IRTO252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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IRTO252 |
32829 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
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IRTO252 |
29476 |
1343+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesD-Pak |
2000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司2年
留言
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IRTO252 |
6000 |
原装现货,长期供应,终端可账期 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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IR/INFINEONTO-252 |
2625 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IRDPAK |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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艾睿国际(香港)有限公司2年
留言
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IRTO252 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRDPAK |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesDPak |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO252 |
30486 |
23+ |
IRG4RC20FTR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRG4RC20FTR图片
IRG4RC20FTRPBF价格
IRG4RC20FTRPBF价格:¥7.4948品牌:IR
生产厂家品牌为IR的IRG4RC20FTRPBF多少钱,想知道IRG4RC20FTRPBF价格是多少?参考价:¥7.4948。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IRG4RC20FTRPBF批发价格及采购报价,IRG4RC20FTRPBF销售排行榜及行情走势,IRG4RC20FTRPBF报价。
IRG4RC20FTR中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC20FTR功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC20FTRL功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC20FTRLPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V FAST 1-8 KHZ SINGLE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC20FTRPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC20FTRR功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
产品属性
- 产品编号:
IRG4RC20FTR
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,12A
- 开关能量:
190µJ(开),920µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
26ns/194ns
- 测试条件:
480V,12A,50 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
D-Pak
- 描述:
IGBT 600V 22A 66W DPAK