| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IRSOT252 |
2500 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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IRTO-252 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
733 |
23+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRTO-220 |
4500 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
35900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
200 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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IRTO252 |
57550 |
2022+ |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO252 |
55000 |
2019 |
原装正品现货可开13点税 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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IRDPAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
501027 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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IRSOT-252 |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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IRTO252 |
75907 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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IRSOT-252 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
IRG4RC20F采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4RC20F图片
IRG4RC20FTRPBF价格
IRG4RC20FTRPBF价格：￥7.4948品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRG4RC20FTRPBF多少钱，想知道IRG4RC20FTRPBF价格是多少？参考价：￥7.4948。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4RC20FTRPBF批发价格及采购报价，IRG4RC20FTRPBF销售排行榜及行情走势，IRG4RC20FTRPBF报价。
IRG4RC20F中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4RC20F功能描述:DIODE IGBT 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC20FPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC20FTR功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC20FTRL功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4RC20FTRLPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V FAST 1-8 KHZ SINGLE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC20FTRPBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz Single IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4RC20FTRR功能描述:DIODE IGBT FAST SPEED 600V D-PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC20F
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
- 开关能量：
190µJ（开），920µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/194ns
- 测试条件：
480V，12A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 22A 66W DPAK
